Thiết bị này vượt trội hơn cả các công nghệ bộ nhớ bay hơi nhanh nhất hiện nay, vốn mất khoảng 1 - 10 nano giây để lưu trữ 1 bit dữ liệu. Cần lưu ý rằng, 1 pico giây bằng khoảng một phần nghìn nano giây hay một phần nghìn tỷ giây.
Các loại bộ nhớ bay hơi như SRAM hay DRAM, vốn bị mất dữ liệu khi nguồn điện bị ngắt, không phù hợp cho các hệ thống tiêu thụ điện năng thấp. Trong khi đó, các bộ nhớ điện tĩnh như flash, dù tiết kiệm năng lượng, lại không đáp ứng được nhu cầu truy cập dữ liệu tốc độ cao của trí tuệ nhân tạo (AI).
Các nhà nghiên cứu tại Đại học Phúc Đán đã phát triển một bộ nhớ flash sử dụng graphene Dirac hai chiều với một cơ chế tiên tiến, phá vỡ giới hạn tốc độ của việc lưu trữ và truy cập thông tin bộ nhớ điện tĩnh.
Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên Tạp chí Nature vào thứ Tư (16/4) vừa qua.
"Bằng cách sử dụng các thuật toán AI để tối ưu hóa các điều kiện kiểm tra quy trình, chúng tôi đã có những tiến bộ đáng kể trong phát minh này và mở đường cho các ứng dụng tiềm năng trong tương lai", Zhou Peng, trưởng nhóm nghiên cứu từ Đại học Phúc Đán, cho biết.
Một nhà phản biện khoa học của Tạp chí Nature nhận xét: "Đây là một công trình nguyên bản và tính mới lạ của nó đủ để thiết kế các loại bộ nhớ flash tốc độ cao tiềm năng trong tương lai".
